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一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法-现代电子技术2025年04期

一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合线状态监测方法

作者:薛炳君 郭世龙 严焱津 字体:      

摘  要: 随着SiC MOSFET器件的广泛应用,其可靠性问题备受关注。键合线失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因,因此需要对其进行状态监测以保证器件的正常运行。文中提出一种基于开尔文封装的SiC MOSFET器件键合(试读)...

现代电子技术

2025年第04期