摘 要： 针对传统RC⁃IGBT导通压降大、击穿电压低等问题，提出一种具有高介电常数（高K）背栅的RC⁃IGBT器件结构，其特点是位于底部集电极的背栅介质采用高介电常数材料。高K介质增大了正向导通时背栅周围的空（试读）...
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