• 简体   /   繁体
功率循环下GaN器件栅极可靠性研究-现代电子技术2025年02期

功率循环下GaN器件栅极可靠性研究

作者:郭世龙 薛炳君 严焱津 汪文涛 字体:      

摘  要: 氮化镓(GaN)功率器件长期在高功率密度工况下运行,其栅极可靠性一直是关注的重点,栅极的退化会造成器件误导通以及导通损耗增加等问题。为此,设计一个直流功率循环装置,通过功率循环的方式加速器件(试读)...

现代电子技术

2025年第02期